據韓國媒體報道，三星已確保3nm制程工藝有穩定的良品率，并計劃在明年6月份開始量產。

據悉，采用這一工藝代工的芯片，性能較 5nm 將提升 50%，能耗降低 50%。三星在3nm工藝的研發當中率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，環繞柵極）技術。

值得一提的是，三星3nm工藝將領先對手臺積電。此外，三星還宣布更先進的2nm制程將于2025年量產。2nm制程技術將使芯片性能、能效進一步提升，繼續推進電子產品的小型化。